HBM2E memory

HBM2E是美光公司的高带宽存储器之一, 专为需要内存和处理之间最大吞吐量的应用程序而设计. 这种性能是通过将TSV堆叠存储芯片与逻辑集成在同一芯片封装中实现的. 美光在先进内存封装和堆叠方面的悠久历史使其能够无缝进入 this market. 美光致力于提供高带宽解决方案,包括HBM2E, HBM3E 以及未来的高性能存储技术.

Density

Select Density
  • 8GB
  • 16GB
Range: 8GB - 16GB
  • Bus Width
    x1024
  • Voltage
    1.2V
  • Op. Temp.
    0C to +95C
  • Bus Width
    x1024
  • Voltage
    1.2V
  • Op. Temp.
    0C to +95C
+